锗探测器
由于带隙较窄,与硅探测器相比,锗探测器有较高的漏电流,从可见光到1. 8μm 波长范围都有亚微秒级的响应时间和高灵敏度。一般地,使用零偏压以获得高灵敏度,得到高速度要施加大反向偏压。室温下其探测率峰值约为2 x 10 11cmHz1 / 2 W - 1。
提供专业定制,封装形式多样,可根据客户要求选择封装形式,并且可依据客户的需求定制不同的封装产品以及可定制TE 制冷产品。

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由于带隙较窄,与硅探测器相比,锗探测器有较高的漏电流,从可见光到1. 8μm 波长范围都有亚微秒级的响应时间和高灵敏度。一般地,使用零偏压以获得高灵敏度,得到高速度要施加大反向偏压。室温下其探测率峰值约为2 x 10 11cmHz1 / 2 W - 1。
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